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제품
SPOES
소형 Plasma Module을 내장하여 반도체/디스플레이 제조 설비의
배기 라인으로 배출되는 Gas를 분석함으로써 공정 변화 상태를 모니터링하는 센서
CVD, ALD, Etcher, Diffusion, All TM
오염 내구성이 강하여 장기간 PM 없이 사용 가능
실시간 leak 검출
Dry cleaning endpoint 검출
Source fault 검출
Specifications
Starting pressure of discharge 5mT~10Torr
Detectors per a controller 1~7 (Max. 12)
Image sensor 2048 pixels
Spectral range 200~850nm
Optical resolution <0.95nm @25um slit
A/D resolution 16bit
Integration time Min. 7ms
Scan time(Interval time) Min. 50ms
Optical window Sapphire
Plasma source power Max. 30W
Power requirement 3.5A/12VDC
Operating system Win10
Software AOS (AEGIS Operating Software)
Communication Ethernet
Protocol Customizing available
Additional pumping N/A
Vacuum interface NW25 (Reducer available)
- -
Model
Detector
Model Description
AEGIS-7W
For Transfer/Process/Anneal Chamber
Contamination-free module included (patented)
AEGIS-7S For Transfer/Process/Anneal Chamber
Contamination-free module included (patented)
Advanced sensor and signal processing
AEGIS-7WD For Process Chamber
Contamination-free module included (patented)
OES module detachable type
AEGIS-7DLT For Process Chamber
Contamination-free module included (patented)
For exclusive customer
Controller
Model Description
SMC-10 Horizontal type
3U 19” rack mount type
SMC-10H Vertical type
Stand alone type
Accessories
Model Description
WT Worktable type
RK 19” rack type
MC Moving cart type
LPA-75-AC-12 Local power adapter,
75W
Concept & Configuration
Software
Operation
Analysis
Application
● Certified ○ possible
Application Semiconductor FPD
All TM Ti WN OxALD Diffusion Etch All TM Anneal PECVD
Leak detection
Dry clean EPD
Source fault
Endpoint detection
In-situ leak detection
반도체/디스플레이 제조 공정 챔버의 leak를 실시간으로 검출 가능하여 대형 사고를 미연에 방지
반도체 분야 CVD, ALD, Diffusion, All TM 사용 가능
디스플레이 분야 BP(Array), TSP, EN, All TC/HC 사용 가능
Yield 및 throughput 개선
Dry cleaning endpoint detection
주기적인 dry cleaning step에서의 챔버 cleaning 상태를 확인 가능하고 최적의 cleaning time 확인 가능
반도체 분야 CVD, ALD, Diffusion 사용 가능
디스플레이 분야 BP(Array), TSP, EN 사용 가능
Throughput 개선
Endpoint detection for non-plasma etch
챔버 내 plasma를 사용하지 않아 기존 OES로 endpoint를 검출하지 못하는 etch 공정에서 endpoint 검출 가능
반도체 분야 Etcher 사용 가능
Gas-phased 또는 low RF power를 사용하는 etch 공정
Low open ratio etch에서도 OES 대비 endpoint 검출력 우수
Endpoint detection for TSV
실리콘 관통전극(TSV, Through Silicon Via) etch 공정에서의 endpoint 검출 가능
BOSCH 공정에서 사용 가능
Low open ratio etch에서도 endpoint 검출 가능